Hydrogenated nanocrystalline silicon PECVD Deposition pressure Ion bombardment Defect density;
机译:使用SLAN ECR-PECVD在室温下沉积高导电B掺杂的nc-Si:H薄膜
机译:通过RF-PECVD沉积的氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜的光学性质和结晶度
机译:PECVD沉积在多孔铝上的纳米晶Si(nc-Si)薄膜的光热偏转光谱研究
机译:射频溅射和PECVD沉积nc-Si:H薄膜之间的差异
机译:使用叔丁醇ha(IV)通过CVD和PECVD沉积的固态晶体管栅极应用的based基高k薄膜的特性表征。
机译:通过PECVD在镍金属化多孔硅上沉积的非晶硅薄膜的结晶
机译:射频功率对逐层沉积技术沉积的Nc-Si:H薄膜结构性能的影响