法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-12-09
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/027 申请公布日:20130130 申请日:20110520
发明专利申请公布后的视为撤回
2013-04-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/027 申请日:20110520
实质审查的生效
2013-01-30
公开
公开
机译: 用于EUV光刻的掩模坯料的衬底的制造方法,具有用于EUV光刻的多层反射膜的衬底的制造方法,用于EUV光刻的掩模坯的制造方法以及用于EUV光刻的转移掩模的制造方法
机译: 具有多层反射膜的基板,用于EUV光刻的反射掩模坯料,用于EUV光刻的反射掩模,用于EUV光刻的反射掩模的方法,以及制造半导体器件的方法
机译: 估计残留膜厚度分布的方法,使用估计残留膜厚度分布的方法设计用于图案化的掩模的方法以及使用使用估计残留膜厚度分布的方法设计的用于图案化掩模的半导体器件的设计方法