一种GaAs衬底上的外延转移方法及制得的半导体器件

摘要

本发明涉及一种GaAs衬底上的外延转移方法及制得的半导体器件。方法包括下列步骤：步骤a：在GaAs衬底上生长InGaP牺牲层和GaAs转移层，步骤b：在所述GaAs转移层侧进行离子注入，使所述InGaP牺牲层内形成缺陷层；步骤c：在所述离子注入后，将一硅基半导体晶圆与所述GaAs转移层键合；步骤d：在所述键合后，对所述缺陷层进行退火处理，将所述GaAs衬底剥离。本发明实现了硅器件和GaAs基器件的高效集成，简化了流程，减少了转移中产生的质量缺陷。