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李筱婵;
华南理工大学;
衬底; GaN; 整流器; 外延; 结构设计;
机译:氢化物气相外延在分子束外延上GaN的外延横向过生长Si衬底上的GaN缓冲层
机译:Si衬底上GaAs和GaN晶体的异质外延及其器件应用
机译:基于Si衬底的Al x inf> Ga 1-x inf> N / GaN外延层的热应力分析和结构设计
机译:金属有机气相外延法在Si衬底上异质外延生长GaAs。
机译:在Si衬底上外延生长高质量GaN膜的新方法:MBE和PLD的结合
机译:金属有机汽相外延减少Si衬底上制备的InAs纳米鳍的位错
机译:通过区域熔融再结晶和随后的外延生长在siO 2涂覆的si衬底上制备的si薄膜中的微秒载流子寿命
机译:制备Si底族模板的方法及其制备Si衬底-GaN外延结构的方法
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:Si衬底上的增强型GaN基HEMT器件及其制造方法
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