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机译:基于横向p-n结的光电器件,其通过在图案化(311)A取向的衬底上掺杂硅的GaAs进行分子束外延生长而制得
III-V semiconductors; gallium arsenide; light emitting diodes; molecular beam epitaxial growth; p-n junctions; photodiodes; silicon; surface emitting lasers; GaAs; GaAs(311)A patterned substrate; GaAs:Si; lateral p-n junction; light emitting diode; molecular beam epi;
机译:基于横向p-n结的光电器件,该器件通过在图案化(311)A取向的衬底上掺杂硅的GaAs进行分子束外延生长制成
机译:基于光电器件的在高折射率衬底上制造的横向p-n结
机译:基于光电器件的在高折射率衬底上制造的横向p-n结
机译:通过分子束外延在GaAs(311)面向A的基材上产生的横向结光电探测器
机译:氢化物气相外延生长极性和非极性氮化物半导体准衬底,用于分子束外延开发光电子器件
机译:使用分子层外延制造侧壁GaAs隧道结
机译:图案化GaAs(100)衬底上侧向p-n结的发光和量子效率
机译:由太阳能电池型硅基板制造的硅p-N结二极管的金属化和表征。