芯片级封装的具有金属填充的深沉降区触点的功率MOSFET

摘要

一种形成包含功率半导体装置的IC(180)的方法包含：提供衬底(100)，所述衬底在其上具有外延层(150)，所述外延层具有形成于其中的被金属前电介质PMD层(118)覆盖的至少一个晶体管(160)。从接触开口蚀刻穿过所述PMD到所述外延层中以形成延伸到所述装置的第一节点的沉降区沟槽。沉积金属填充材料(128b)以覆盖所述沉降区沟槽的侧壁和底部，但不完全填充所述沉降区沟槽。在所述金属填充材料上方沉积电介质填料层(128c)以填充所述沉降区沟槽。移除所述电介质填料层的覆盖层区域，在所述覆盖层区域中的所述金属填充材料的表面上停止以形成沉降区触点(128)。形成图案化互连金属，从而在所述互连金属与所述沉降区沟槽的所述侧壁上的金属填充材料之间提供连接。