采用MICRO FOOT芯片级封装的TrenchFET功率MOSFET

摘要

Si8422DB是首款采用MICROFOOT芯片级封装的TrenchFET功率MOSFET，该器件具有背面绝缘的特点。Si8422DB针对手机、PDA、数码相机、MP3播放器及智能电话等便携设备中的功率放大器、电池和负载切换进行了优化。该器件2mil背面涂层可实现对MICROFOOT封装的顶部绝缘，以防与便携器件中移动部件暂时接触而产生的电路短路。