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P沟道MOSFET; 功率MOSFET; 第三代; 封装; 电压等级; 导通电阻; Inc; 器件;
机译:N沟道功率MOSFET采用PowerPAK SC-75封装
机译:150 V N沟道TrenchFET®功率MOSFET
机译:下一代TrenchFET®Gen LV 30 V N沟道功率MOSFET
机译:采用非掺杂外延沟道技术制成的0.18 / splμ/ m低压/低功率RF CMOS,具有零Vth模拟MOSFET
机译:用于功率IC应用的硅横向沟道功率MOSFET
机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:采用扫描电容显微镜研究的有源偏置p沟道mOsFET
机译:半导体器件和形成低压功率MOSFET的方法,使用石墨烯作为金属层,石墨烯纳米带作为硅、GAN、SIC衬底上功率垂直和横向MOSFET的沟道和漏增强区,或Diamond将窄带隙工程与宽带隙工程相结合,在电力半导体行业实现节能设备和环境进步
机译:作为拥有长沟道沟槽栅极功率MOSFET的空沟槽栅极功率MOSFET
机译:具有长沟道沟槽栅型功率MOSFET的零沟槽栅型功率MOSFET具有
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