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P沟道MOSFET; 功率MOSFET; 芯片级; 第三代; 封装; 导通电阻; Inc; 器件;
机译:功率MOSFET采用芯片级封装
机译:150 V N沟道TrenchFET®功率MOSFET
机译:下一代TrenchFET®Gen LV 30 V N沟道功率MOSFET
机译:新一代晶圆级(芯片级)封装技术可为功率MOSFET器件提供更高级别的功率和可靠性能
机译:用于功率IC应用的硅横向沟道功率MOSFET
机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:采用应变si,siGe和Ge沟道的mOsFET沟道工程
机译:采用扫描电容显微镜研究的有源偏置p沟道mOsFET
机译:功率MOSFET晶片级芯片级封装
机译:半导体器件和形成低压功率MOSFET的方法,使用石墨烯作为金属层,石墨烯纳米带作为硅、GAN、SIC衬底上功率垂直和横向MOSFET的沟道和漏增强区,或Diamond将窄带隙工程与宽带隙工程相结合,在电力半导体行业实现节能设备和环境进步
机译:作为拥有长沟道沟槽栅极功率MOSFET的空沟槽栅极功率MOSFET
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