深硅刻蚀方法、深硅槽结构及半导体器件

摘要

本发明公开了一种深硅刻蚀方法、深硅槽结极及半导体器件。该方法包括：步骤1、向反应腔室内输入沉积气体，启辉进行沉积；步骤2、停止输入沉积气体，开始通入刻蚀气体，以下电极功率P