一种具有低晶格热导率的高熵Half-Heusler热电材料及其制备方法

摘要

本发明提供一种具有低晶格热导率的高熵Half‑Heusler热电材料及其制备方法。所述具有低晶格热导率的高熵Half‑Heusler热电材料的通式为ZrxHf1‑xNiyPd1‑ySn，其中x＝0.6‑0.8，y＝0.8‑0.9。本发明具有低晶格热导率的高熵Half‑Heusler热电材料的制备方法包括以下步骤：按照通式Zr0.7Hf0.3Ni0.85Pd0.15Sn配料并混合，将混合物料置于磁悬浮熔炼炉中熔炼，将熔炼得到的铸锭研磨、干燥得到粉体，采用放电等离子体烧结技术对粉体进行烧结得到具有低晶格热导率的高熵Half‑Heusler热电材料。本发明所述高熵Half‑Heusler热电材料具有较低晶格热导率和较高的ZT值。