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公开/公告号CN110620147A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-27
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201910870444.3
发明设计人 李俊宏;刘奎方;胡斌;
申请日2019-09-16
分类号
代理机构成都惠迪专利事务所(普通合伙);
代理人刘勋
地址 610000 四川省成都市高新区西源大道2006号
入库时间 2024-02-19 15:57:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/739 申请日:20190916
实质审查的生效
2019-12-27
公开
机译: 导电型绝缘栅双极型晶体管的制造方法及导电型绝缘栅双极型晶体管的制造方法
机译: 防止短路状态的绝缘栅双极型晶体管的保护方法和至少两个串联连接的绝缘栅双极型晶体管的保护方法
机译: 半导体器件,其包括具有绝缘栅双极型晶体管的主元件以及具有电阻器和绝缘栅双极型晶体管的感测元件
机译:优化高绝缘电压绝缘栅双极型晶体管栅驱动器信号传输功能的设计方法
机译:绝缘栅双极型晶体管功率器件封装绝缘层中用于累积电荷检测的传感器
机译:小型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管,可提供更大的正向偏置安全工作区域并降低关断能量
机译:用于混合动力电动汽车和电动汽车逆变器中的大电流和高速绝缘栅双极型晶体管的栅极驱动器集成电路
机译:通过隧道外延,使用氮化的热氧化物作为栅绝缘体,开发自对准双栅MOSFET的工艺流程。
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:绝缘栅双极型晶体管8英寸关键工艺的开发
机译:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块中开关脉冲的热模拟。