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公开/公告号CN110783398A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-02-11
原文格式PDF
申请/专利权人 济宁学院;
申请/专利号CN201911220473.1
发明设计人 田涛;张营;
申请日2019-12-03
分类号
代理机构青岛发思特专利商标代理有限公司;
代理人丁鹏鹏
地址 272001 山东省济宁市高新区海川路16号济宁高新区大学园
入库时间 2023-12-17 06:55:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/739 申请日:20191203
实质审查的生效
2020-02-11
公开
机译: 大电流N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极晶体管
机译: 导电型绝缘栅双极型晶体管的制造方法及导电型绝缘栅双极型晶体管的制造方法
机译: 防止短路状态的绝缘栅双极型晶体管的保护方法和至少两个串联连接的绝缘栅双极型晶体管的保护方法
机译:小型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管,可提供更大的正向偏置安全工作区域并降低关断能量
机译:一种采用独立肖特基阳极的功率集成电路新型绝缘体上硅横向绝缘栅双极晶体管和横向二极管
机译:绝缘体上硅衬底上的双栅和电介质插入的横向沟槽绝缘栅双极晶体管
机译:用于混合动力电动汽车和电动汽车逆变器中的大电流和高速绝缘栅双极型晶体管的栅极驱动器集成电路
机译:用于低压集成电路应用的双栅CMOS设计和分析,包括绝缘体上硅MOSFET的物理建模。
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:绝缘栅双极型晶体管8英寸关键工艺的开发
机译:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块中开关脉冲的热模拟。