公开/公告号CN110456248A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-15
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第五十五研究所;
申请/专利号CN201910690682.6
申请日2019-07-29
分类号G01R31/26(20140101);
代理机构32215 南京君陶专利商标代理有限公司;
代理人严海晨
地址 210016江苏省南京市中山东路524号
入库时间 2024-02-19 15:16:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-10
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/26 申请日:20190729
实质审查的生效
2019-11-15
公开
公开
机译: 生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
机译: 一种基于氮化镓的发光二极管器件的氮化镓基质分离方法,该器件包括可回收的氮化镓基质,能够降低制造成本和缺陷密度
机译: -iii-氮化物-半导体晶体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体,发光器件由基于氮化镓的化合物半导体和使用的光源,发光半导体器件