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CHEN Zichang; 陈子长; REN Ren; 任仁; ZHANG Fanghua; 张方华;
中国电源学会;
增强型氮化镓器件; 双脉冲测试; 开关损耗; 数据处理;
机译:迄今为止,GaN(氮化镓)GaN功率器件的吸引力在于:GaN功率器件的潜力,器件的功能以及实现收益的专有技术
机译:一种基于氮化镓器件的开关式电容器多端口多电平转换器,用于UPS应用
机译:基于氮化镓器件的降压型转换器,用于包络跟踪应用
机译:GaN功率器件的最新趋势:氮化镓,氮化镓
机译:氮化铝镓/氮化镓双通道HFET及其在不同基板上的氮化镓器件的实现
机译:复合体系镓氮化镓GaN-氮化镓锡中的新型氮化物纳米粒子
机译:基于铝和氮化镓在硅碳化硅衬底上生长铝和氮化镓氮化镓的复合材料的介电和热电性能
机译:电子应用中氮化镓和氮化铟器件质量外延层的沉积
机译:生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
机译:-iii-氮化物-半导体晶体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体,发光器件由基于氮化镓的化合物半导体和使用的光源,发光半导体器件
机译:使用基于氮化镓类化合物半导体的III族氮化物半导体晶体的制造方法,氮化镓类化合物半导体和氮化镓类化合物半导体发光器件的半导体发光器件的制造方法的光源
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