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硅单晶的制造方法及硅单晶的提拉装置

摘要

在使用提拉装置制造硅单晶的硅单晶的制造方法中,将在提拉中被导入到提拉装置内的气体从形成在加热器(5)的背面上的中部排气口(16A)排气,所述提拉装置具备:腔室;设置在腔室内的石英坩堝(3A);和加热器(5),其以将石英坩堝(3A)包围的方式配置,并将石英坩堝(3A)加热。

著录项

  • 公开/公告号CN110408991A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 胜高股份有限公司;

    申请/专利号CN201910334491.6

  • 发明设计人 金原崇浩;片野智一;

    申请日2019-04-24

  • 分类号C30B29/06(20060101);C30B15/00(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人殷超;谭祐祥

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2024-02-19 14:30:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/06 申请日:20190424

    实质审查的生效

  • 2019-11-05

    公开

    公开

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