CZ硅单晶中旋涡缺陷对低频大功率管制造的影响

摘要

CZ硅晶片中的旋涡缺陷在器件制造的热循环过程中 ,会转化成体内杆状层错 ,且易集结在发射结对应下方的基区和集电结附近 ,从而导致 EB结和 CB结的软击穿现象进行了研究 ,并采取了适当措施 。