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硅单晶提拉用晶种以及使用该晶种的硅单晶的制造方法

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本发明提供硅单晶提拉用晶种，该晶种可以降低由接触硅熔液时产生的热冲击引起的滑移位错的产生，并且抑制该滑移位错的传播，即使颈部的直径大于以往的直径也能进行无位错化。本发明的硅单晶提拉用晶种是对基于CZ法的硅单晶提拉中所使用晶种的改良，其特征的构成在于，该晶种是从掺杂碳的硅熔液中提拉的硅单晶中切出的晶种，并且掺杂的碳的浓度为5×10

著录项

公开/公告号CN101796225B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-10-30

原文格式PDF
申请/专利权人胜高股份有限公司;
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申请/专利号CN200880105838.X
发明设计人高濑伸光;
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申请日2008-07-17
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人庞立志
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:16:14

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-10-30

授权

授权
2010-09-22

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20080717

实质审查的生效
2010-08-04

公开

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