科研证明
文献服务
退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN110164811A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-23
原文格式PDF
申请/专利权人 芜湖启迪半导体有限公司;
申请/专利号CN201910435385.7
发明设计人 张晓洪;宋东波;程海英;钮应喜;袁松;刘锦锦;
申请日2019-05-23
分类号H01L21/683(20060101);H01L29/66(20060101);
代理机构34107 芜湖安汇知识产权代理有限公司;
代理人朱顺利
地址 241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803
入库时间 2024-02-19 14:03:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-09-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/683 申请日:20190523
实质审查的生效
2019-08-23
公开
机译: -在多晶碳化硅衬底上锉成的蓝宝石薄层上使用gan的半导体gan器件和方法
机译: GAN半导体器件以及在多晶碳化硅衬底上的蓝宝石薄层上使用GAN的方法
机译: 一种在硅衬底上生产改进的异质外延生长的碳化硅层的方法。
机译:硅衬底上GaN HEMT器件在4 GHz时的高线性度性能
机译:LP-MOCVD在碳化硅上生长GaAlN / GaN异质结构:在HEMT器件中的应用
机译:GaN HEMT器件的一种改进的小信号参数提取算法
机译:用于高频应用的碳化硅衬底上AlGaN / GaN HEMT的热特性
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:从硅衬底上分离出来的独立式GaN上的InGaN / GaN蓝色发光二极管的正向隧穿特性研究
机译:在绝缘碳化硅衬底上生长的AlGaN / GaN HEMT的功率RF操作
机译:用于GaN研究和开发的碳化硅衬底