一种槽型结型势垒肖特基二极管

摘要

本发明涉及一种槽型结型势垒肖特基二极管，包括从下至上依次设置的底层金属层、N+衬底层和N‑外延层，其中，N‑外延层的上表面设置有若干个P型离子注入区，每个P型离子注入区内部设置有凹槽，相邻P型离子注入区之间的间距从所述槽型结型势垒肖特基二极管的边缘到中心呈增大趋势，凹槽的深度从所述槽型结型势垒肖特基二极管的边缘到中心呈增大趋势；N‑外延层上设置有隔离介质层和顶层金属层，隔离介质层环绕在N‑外延层上表面的四周，顶层金属层设置在N‑外延层和隔离介质层的上表面以及凹槽的内部。本发明的槽型结型势垒肖特基二极管，在保证反向漏电流和正向导通电阻没有退化的前提下，有效抑制了局部电迁移现象的发生。