一种抗总剂量SOI集成电路器件结构的实现方法

摘要

本发明属于抗辐照器件研究技术领域，涉及一种能够提高器件的抗总剂量性能的SOI器件结构的实现方法，本发明的抗总剂量SOI器件结构的实现方法是基于SOI基片，进行氧化、淀积、刻蚀、光刻、离子注入、快速退火等一系列工艺步骤进而得到本发明的抗总剂量SOI器件结构。本发明不仅可以减小由辐照引起的寄生泄漏电流和阈值电压漂移，而且该结构和传统SOI工艺完全兼容，只需要增加一次注入工艺，不会增加版图面积，不会对成本造成大的影响。