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公开/公告号CN107946354A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-04-20
原文格式PDF
申请/专利权人 北京大学;
申请/专利号CN201711144513.X
发明设计人 安霞;任哲玄;王家宁;黄如;张兴;
申请日2017-11-17
分类号H01L29/423(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构11360 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李稚婷
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2023-06-19 05:05:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-05-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/423 申请日:20171117
实质审查的生效
2018-04-20
公开
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机译: 制造具有导电衬里的抗辐射总剂量免疫的半导体器件的方法
机译: 在SOI衬底上制造的抗辐射高压半导体器件结构
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机译:总剂量辐照对H栅SOI NMOS器件阈值电压的影响
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机译:一种新的锡烷和一种新的基于自由基的杂环制备方法。
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