SOI器件总剂量辐射效应研究进展

摘要

绝缘体上的硅(Silicon on Insulator，SOI)技术凭借其全介质隔离的特殊结构，成为制造抗辐射集成电路的首选技术。然而由于埋氧化层的存在，使得SOI器件的总剂量效应比体硅器件更为复杂。本文将阐述埋氧化层中总剂量效应的产生机理以及对器件功能的影响，并从制作工艺、器件结构、偏置状态、尺寸缩小和加固措施等方面来回顾国际上的研究进展.