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高透PVDF薄膜材料、其制备方法、TPT背膜、TPE背膜及太阳能电池板

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本发明属于PVDF薄膜技术领域，具体涉及一种高透PVDF薄膜材料、其制备方法、TPT背膜、TPE背膜及太阳能电池板。该高透PVDF薄膜材料，包括以下重量百分含量的各组分：PVDF 60％～85％，PMMA 5％～30％，增韧剂0％～20％，抗氧剂0～0.5％，紫外吸收剂0～0.5％。本发明所提供的高透PVDF薄膜材料具有高的透光率，以其制作背膜，可以提高对环境反射光线的透光率，从而提高太阳能电池板的发电功率。

著录项

公开/公告号CN110092997A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-06

原文格式PDF
申请/专利权人武汉高正新材料科技有限公司;
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申请/专利号CN201910299939.5
发明设计人朱圣才;谢海燕;
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申请日2019-04-15
分类号C08L27/16(20060101);C08L33/12(20060101);C08J5/18(20060101);H01L31/048(20140101);H01L31/049(20140101);
代理机构11212 北京轻创知识产权代理有限公司;
代理人杨立;杨彩兰
地址 437300 湖北省咸宁市赤壁市高新区中伙光谷产业园
入库时间 2024-02-19 11:41:35

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-08-30

实质审查的生效 IPC(主分类):C08L27/16 申请日:20190415

实质审查的生效
2019-08-06

公开

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1. 高透PVDF薄膜材料、其制备方法、TPT背膜、TPE背膜及太阳能电池板 [P] . 中国专利： CN110092997A . 2019-08-06
2. 高韧性PVDF薄膜材料及其制备方法、TPT背膜、TPE背膜及太阳能电池板 [P] . 中国专利： CN110117400A . 2019-08-13
3. The transparent conductive film, in one side or both sides of the production methodological null transparent film backing material of the transparent conductive [P] . 日本专利： JP4966924B2 . 2012-07-04

机译：所述透明导电膜，在所述透明导电膜的制备方法的一侧或两侧为空的透明膜背衬材料
4. The production mannered null backing material film of the donor substrate for the flat indicating element and the organicity electro-luminescence component which [P] . 日本专利： JP4545166B2 . 2010-09-15

机译：用于平面指示元件的供体基板和有机电致发光组件的制备方法为零背衬材料膜，
5. The film and the preparation manner null which are obtained from the film formation Characteristic constituent and the said constituent which contain the new mixed grain and the said grain which designate the silica and the polymer as the backing material [P] . 日本专利： JPH0763614B2 . 1995-07-12

机译：由膜形成得到的膜和制备方法无效。特征成分和所述成分包含新的混合颗粒和所述颗粒，其指定二氧化硅和聚合物作为背衬材料。