高配向高B{sub}s裏打ち膜によるRu中間膜厚の低減

摘要

垂直磁気記録の高記録密度化のためには、SPTヘッドと裏打ち膜との距離を縮める必要があり、中間膜、記録膜、保護膜の膜厚を薄くすることが望まれる。 とりわけ、アモルファス裏打ち膜を用いた場合、中間膜は20nm以上必要となり、大きな問題となっている。 中間膜の膜厚を低減するためには、中間膜の結晶配向性を向上させることが必要である。 そこで、裏打ち膜の膜厚の低減も考慮して、2.45Tの飽和磁束密度B{sub}sを有する配向性の高いFeCo裏打ち膜を用いたところ、中間膜の膜厚を大きく低減できる可能性を見い出した。 電磁変換特性の結果も考慮して、現状での中間膜の最低膜厚は5-7nm程度と考えている。