后栅极工艺中的选择性高k形成

摘要

一种方法包括：去除伪栅极堆叠件以在栅极间隔件之间形成开口；选择性地在栅极间隔件的侧壁上形成抑制膜，栅极间隔件的侧壁面向开口；和选择性地在半导体区域的表面上形成介电层。抑制膜抑制介电层在抑制膜上的生长。该方法还包括去除抑制膜；和在开口的剩余部分中形成替换栅电极。本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。本发明实施例涉及后栅极工艺中的选择性高k形成。