在GaAs衬底上制作p型掺杂ZnO纳米材料的方法

摘要

本发明涉及半导体领域，提供一种在GaAs衬底上制作p型掺杂ZnO纳米材料的方法，包括：(1)GaAs衬底的预处理；第一步，利用甲苯进行超声振动清洗GaAs衬底，除去GaAs衬底上的油脂；第二步，用丙酮进行超声振动清洗GaAs衬底，除去GaAs衬底上残留的甲苯；第三步，再用无水乙醇进行超声振动清洗GaAs衬底，除去GaAs衬底上残留的丙酮；第四步，用冷去离子水冲洗8‑10遍；第五步，利用HF将GaAs表面进行刻蚀处理；第六步，再用冷去离子水冲洗8‑10遍；(2)利用电化学沉积方法制备ZnO纳米材料；(3)ZnO纳米材料的退火处理。本发明在GaAs衬底上制作了高性能的p型掺杂ZnO纳米材料。