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一种液相掺杂Ga的ZnO纳米棒及p型ZnO纳米棒阵列的制备方法

摘要

一种液相掺杂Ga的ZnO纳米棒及p型ZnO纳米棒阵列的制备方法。该方法首先制备ZnO纳米溶胶,并通过提拉成膜和热处理获得高活性的ZnO纳米颗粒种子膜,种子膜再在Ga3+、Zn2+的六次甲基四胺溶液中共结晶方法制备掺杂Ga的ZnO纳米棒阵列,最后经NH3气气氛中热处理获得p型ZnO纳米棒阵列。该液相掺杂Ga的方法与气相掺杂方法相比,掺杂条件比较温和,工艺简单、成本低。

著录项

  • 公开/公告号CN100556857C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-11-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津理工大学;

    申请/专利号CN200710151046.3

  • 申请日2007-12-14

  • 分类号C04B41/50(20060101);C03C17/23(20060101);H01L21/368(20060101);B82B3/00(20060101);

  • 代理机构12002 天津佳盟知识产权代理有限公司;

  • 代理人侯力

  • 地址 300191 天津市南开区红旗南路263号

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-02-20

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 41/50 授权公告日:20091104 终止日期:20111214 申请日:20071214

    专利权的终止

  • 2009-11-04

    授权

    授权

  • 2008-07-23

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-05-28

    公开

    公开

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