机译:热退火对在GaAs(100)衬底上生长的p型ZnSe薄膜的表面,光学和结构性质的影响
机译:氮掺杂的P型Znse,P型Zns_yse_(1-y)和P型Zn_(1-x)mg_xs_yse_(1-y)外延受体的激子和给体-受体对的活化能Gaas(1 0 0)衬底上生长的薄膜
机译:GaAs(100)衬底上掺Cl的ZnSe薄膜中ZnSe自组装量子点的形成和光学性质
机译:验证GaAs(100)衬底上生长的Ag掺杂ZnSe膜的p型行为
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:GaAs(001)上生长的高质量100 nm厚InSb膜具有InxAl1-xSb连续渐变缓冲层的基板
机译:Zn和Se光束电离对晶体GaAs基材生长生长的ZnSe膜晶体结构的影响。
机译:CoGe2合金薄膜在Gaas(100)上异质外延生长的纹理分析 - 元素离子束沉积