一种用于非接触、点扫描曝光的SP光刻静电微距悬浮结构方案

摘要

本发明公开一种用于非接触、点扫描曝光的SP光刻静电微距悬浮结构方案，其方案通过静电排斥原理实现光刻探针头与下电极(感光面)之间悬浮，悬浮间距可达到SP光刻技术要求的1nm量级～10nm量级，并通过上电极与下电极(感光面)之间电容差动变化，实现对光刻探针头与下电极(感光面)之间悬浮间距的检测。这种静电悬浮技术有效克服了SP光刻技术中如何形成微悬浮间距难题。将该方案运用于某种光刻机上，在进行预调平后，便能通过此技术使得在光刻过程中光刻探针头始终与下电极(感光面)平行。