在全视场步进扫描曝光机上进行193nm光刻

摘要

评价了先进的１９３ｎｍ抗蚀剂材料在全视场步进扫描系统中的光刻性能。对单层和双层抗蚀剂进行了性能和复杂性的比较。通过对最佳照明条件（ＮＡ，σ）的研究，提出了一种增大工艺窗口和减少疏、密图形偏差的方法。移相掩模的应用证明了１９３ｎｍ光刻技术对１００ｎｍ工艺段的拓展能力。