一种合金化铜Cu(Ni)无扩散阻挡层互连结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种合金化铜Cu(Ni)无扩散阻挡层互连结构及其制备方法，所述Cu(Ni)无扩散阻挡层是采用磁控溅射镀膜法在Si基体上制备合金化铜Cu(Ni)薄膜。所述制备方法包括如下步骤：(a)用导电胶将纯Ni片贴在铜靶上；(b)基片清洗后用氮气吹干；(c)磁控溅射镀膜；(d)退火处理，冷却后取出，得到Cu(Ni)薄膜。本发明采用的镀膜方法是真空下磁控溅射沉积薄膜法，此方法效率高，制得到的薄膜具有纯度高、均匀致密、附着性好等优点；本发明的溅射过程可控性强，可以通过调节溅射过程中的氩气流量和功率来控制溅射的速率；本发明通过控制Ni靶的数量来调节Cu(Ni)阻挡层的成分，系统地证明了Cu(Ni)阻挡层高热稳性，避免了实验误差。