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具有低介电常数和超低介电损耗的镁锆锗铌系微波介质陶瓷及制备方法和应用

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本发明公开了一种具有低介电常数和超低介电损耗的镁锆锗铌系微波介质陶瓷及制备方法和应用。该微波介质陶瓷化学表达式为：Mg(Zr

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公开/公告号CN109336596A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-15

原文格式PDF
申请/专利权人天津大学;
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申请/专利号CN201811158804.9
发明设计人肖谧;何苏苏;娄捷;
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申请日2018-09-30
分类号
代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所;
代理人曹玉平
地址 300072 天津市南开区卫津路92号
入库时间 2024-02-19 06:49:52

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-08-11

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01B3/12 申请公布日:20190215 申请日:20180930

发明专利申请公布后的视为撤回
2019-03-12

实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/495 申请日:20180930

实质审查的生效
2019-02-15

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1. 具有低介电常数和超低介电损耗的镁锆锗铌系微波介质陶瓷及制备方法和应用 [P] . 中国专利： CN109336596A . 2019-02-15
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