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公开/公告号CN109388018A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-26
原文格式PDF
申请/专利权人 HOYA株式会社;
申请/专利号CN201810877657.4
发明设计人 三好将之;一之濑敬;
申请日2018-08-03
分类号
代理机构北京三友知识产权代理有限公司;
代理人庞东成
地址 日本东京都
入库时间 2024-02-19 06:47:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-22
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F1/72 申请日:20180803
实质审查的生效
2019-02-26
公开
机译: 光掩模基板,光掩模坯料,光掩模,光掩模基板的制造方法,光掩模的制造方法以及显示装置的制造方法
机译: 光掩模坯料,光掩模坯料制造方法,使用该光掩模坯料的光掩模制造方法以及显示装置的制造方法
机译: 光掩模坯,光掩模坯的制造方法,光掩模中间体,光掩模和显示装置的制造方法
机译:使用现有光掩模制造能力制造用于EUV光刻的自对准交替相移光掩模的简单方法
机译:扫描型开发技术,可提高半导体光掩模的精度:支持先进半导体器件制造的光掩模图案的精度更高
机译:扫描型开发技术提高了半导体的光掩模精度:高精度的光掩模图案,支撑尖端半导体器件的制造
机译:分离和评估掩模CD均匀性中的侧向误差来源的简单方法:光掩模坯料和掩模制造工艺
机译:用于光刻的DUV和EUV光掩模中非平面相和多层缺陷的快速仿真方法。
机译:铁氟龙/ SiO2双层钝化层可提高采用新型双光掩模自对准工艺制造的氧化物TFT的电气可靠性
机译:采用双面(结构化)光掩模制作硅通孔制造的优化光刻工艺,用于掩模对准器光刻
机译:制造方法和技术措施。超精密集成电路光掩模。