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公开/公告号CN113391515A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-14
原文格式PDF
申请/专利权人 HOYA株式会社;
申请/专利号CN202110243881.X
发明设计人 田边胜;浅川敬司;安森顺一;
申请日2021-03-05
分类号G03F1/26(20120101);G03F1/80(20120101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人王利波
地址 日本东京都
入库时间 2023-06-19 12:35:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-23
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/26 专利申请号:202110243881X 申请日:20210305
实质审查的生效
机译: 光掩模坯料,光掩模坯料制造方法,使用该光掩模坯料的光掩模制造方法以及显示装置的制造方法
机译: 光掩模基板,光掩模坯料,光掩模,光掩模基板的制造方法,光掩模的制造方法以及显示装置的制造方法
机译: 制造光掩模坯料,光掩模坯料的方法,制造光掩模,光掩模和光掩模金属靶的方法
机译:使用现有光掩模制造能力制造用于EUV光刻的自对准交替相移光掩模的简单方法
机译:扫描型开发技术,可提高半导体光掩模的精度:支持先进半导体器件制造的光掩模图案的精度更高
机译:扫描型开发技术提高了半导体的光掩模精度:高精度的光掩模图案,支撑尖端半导体器件的制造
机译:分离和评估掩模CD均匀性中的侧向误差来源的简单方法:光掩模坯料和掩模制造工艺
机译:用于光刻的DUV和EUV光掩模中非平面相和多层缺陷的快速仿真方法。
机译:铁氟龙/ SiO2双层钝化层可提高采用新型双光掩模自对准工艺制造的氧化物TFT的电气可靠性
机译:采用双面(结构化)光掩模制作硅通孔制造的优化光刻工艺,用于掩模对准器光刻
机译:制造方法和技术措施。超精密集成电路光掩模。