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【2h】

Improved interfacial and electrical properties of GaAs metal-oxdiesemiconductor capacitors with HfTiON as gate dialectric and TaON as Passivation interlayer

机译：用HfTiON作为栅极电介质和TaON作为钝化中间层的Gaas金属 - 氧化物半导体电容器的界面和电学性能得到改善

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作者
Zhu S.Y.; Huang Y.; Lai PT; Wang L; Xu J;
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作者单位

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年度 2013
总页数
原文格式 PDF
正文语种 eng
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