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祝传刚;
海军潜艇学院基础部;
钝化; 金属/GaAs异质结构; 半导体技术; Fermi能级钉扎; 势垒高度; Schottky-Mott模型;
机译:表面光电压谱研究ZrO_2 / GaAs,SiO_2 / GaAs和GaP / GaAs异质结构的表面和界面性质
机译:通过金属-绝缘体-半导体-异质结构电容器的C(V)表征研究氮化硅钝化层与AlGaN / AIN / GaN异质结构之间的界面
机译:高性能GaAs基金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管,原子层沉积Al_2O_3栅氧化物并通过有机金属化学气相沉积原位钝化AlN
机译:用于Ge-and GaAs基MOS异质结构的常见A-Geo2界面钝化层的分子束外延研究
机译:金属有机气相外延法制备和表征AlGaAs / GaAs超薄膜异质结构。
机译:跨GaAs / AlGaAs异质结构界面的纳米级热传输
机译:通过金属-绝缘体-半导体-异质结构电容器的C(V)表征研究氮化硅钝化和AlGaN / AlN / GaN异质结构之间的界面
机译:生长中断对有机金属气相外延生长GaInassb / alGaassb异质结构表面复合速度的影响
机译:形成GaAs / AlGaAs异质结构的方法以及通过该方法获得的GaAs / AlGaAs异质结构
机译:GaAs异质结构金属-绝缘体-半导体集成电路技术
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