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何礼熊;
半导体超晶格国家重点实验室;
GaAs-AIxGa1-xAs; 砷化镓; 砷化镓铝; 异质结构界面; 光激发过剩电子; 热辅助隧穿俘获;
机译:GaAs-Al_xGa_(1-x)作为超晶格的激光激光中的结构紊乱及其作用GaAs-Al_xGa_(1-x)作为超晶格的激光激光的结构紊乱及其作用
机译:各向异性平行Si / si_(1-x)ge_x / si异质结构中具有平行纳米管动能耦合效应的纳米Si / si_(1-x)ge_x / si异质结构中的隧穿电流模型
机译:自旋极化隧穿作为Ga_(1-x)Mn_xAs异质结构电子性质的探针
机译:偏置Ga {sub}(1-x)xAs-gaas-ga {sub}(1-x)xAs}(1-x)xAs}(1-x)xAs}(1-x)xAs三屏幕半导体异质结构的电子和孔的隧道隧穿的透射系数
机译:STM结中的激光辅助电子隧穿。
机译:作者更正:垂直隧穿单电子晶体管的平面和范德华异质结构
机译:交流驱动谐振隧穿双屏障结构中的量子噪声: 光子辅助隧穿与电子反聚束
机译:谐振隧穿HgTe / Hg(1-x)Cd(x)Te双势垒,单量子阱异质结构
机译:确定基于多层铝(铝,镓,砷)半导体异质结的纳米电子共振隧穿二极管(RTD)的抗辐射和温度效应的方法
机译:隧道结中具有梯度半导体异质结构的带间隧穿场效应晶体管
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