机译:以HfTiON为栅介电层和TaON为钝化中间层的GaAs金属氧化物半导体电容器的界面和电学性能得到改善
School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, People's Republic of China|c|;
机译:以HfTiON为栅介电层和TaON为钝化中间层的GaAs金属氧化物半导体电容器的界面和电学性能得到改善
机译:以AlON为中间层的HfTiON栅介电GaAs金属氧化物半导体电容器的电学性能
机译:通过使用HfSiON中间层改善具有HfTiON栅极电介质的金属氧化物半导体电容器的电性能
机译:改进了多层分离结构的性能作为InGaAs金属氧化物半导体电容器的栅极电介质
机译:用于薄膜电容器的聚合物样氢化碳的合成及双不同电介质对高能密度应用电容器电性能的影响
机译:以La2O3中间层的厚度为特征的HfO2 / Ge MIS电容器的电学性质和界面问题。
机译:用HfTiON作为栅极电介质和TaON作为钝化中间层的Gaas金属 - 氧化物半导体电容器的界面和电学性能得到改善