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【2h】

Coding for Phase Change Memory Performance Optimization

机译:用于相变存储器性能优化的编码

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摘要

Over the past several decades, memory technologies have exploitedcontinual scaling of CMOS to drastically improve performance andcost. Unfortunately, charge-based memories become unreliable beyond20 nm feature sizes. A promising alternative is Phase-Change-Memory(PCM) which leverages scalable resistive thermal mechanisms. Torealize PCM's potential, a number of challenges, including thelimited wear-endurance and costly writes, need to be addressed. Thisthesis introduces novel methodologies for encoding data on PCM which exploit asymmetries in read/write performance to minimize memory's wear/energy consumption. First, we map the problem to adistance-based graph clustering problem and prove it is NP-hard.Next, we propose two different approaches: an optimal solutionbased on Integer-Linear-Programming, and an approximately-optimal solution based on Dynamic-Programming. Our methods target both single-level and multi-level cell PCM and provide furtheroptimizations for stochastically-distributed data. We devise a lowoverhead hardware architecture for the encoder. Evaluationsdemonstrate significant performance gains of our framework.
机译:在过去的几十年中,存储技术已经利用CMOS的连续缩放来大大提高性能和成本。不幸的是,超过20 nm的特征尺寸后,基于电荷的存储器变得不可靠。有前景的替代方法是相变存储器(PCM),它利用可扩展的电阻热机制。为了实现PCM的潜力,需要解决许多挑战,包括有限的耐磨性和昂贵的写入。本文介绍了用于在PCM上编码数据的新颖方法,该方法利用读/写性能中的不对称性来最大程度地减少内存的磨损/能耗。首先,将问题映射到基于距离的图聚类问题并证明它是NP困难的;其次,我们提出两种不同的方法:基于整数线性编程的最优解和基于动态编程的近似最优解。我们的方法针对单级和多级单元PCM,并为随机分布的数据提供了进一步的优化。我们为编码器设计了一种低开销的硬件架构。评估证明了我们框架的显着性能提升。

著录项

  • 作者

    Mirhoseini Azalia;

  • 作者单位
  • 年度 2012
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类

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