相变存储器单元和用于制造相变存储器单元的方法

摘要

一种相变存储器单元(1’)，包括：衬底(2)，容纳包括第一导电电极(4)的用于选择存储器单元(1’)的晶体管(15)；在选择晶体管(15)上的第一电绝缘层(10)；穿过电绝缘层(10)的第一导电通孔(11a)，被电耦合至第一导电电极(4)；加热器元件(34’)，包括与第一导电通孔(11a)电接触的第一部分和与第一部分电连续且正交于第一部分延伸的第二部分；第一保护元件(32’)，在加热器元件(34’)的第一和第二部分上延伸；第二保护元件(40’)，与加热器元件(34’)的第一部分并与第一保护元件(32’)直接横向接触地延伸；以及相变区域(50)，在加热器元件(34’)之上与加热器元件(34’)电且热接触地延伸。