相变存储器单元的制备方法、相变材料及相变存储器单元

摘要

本发明提供的相变存储器单元的制备方法，采用吸附有金纳米颗粒的衬底，以由锡粉末和碲化锗粉末组成的混合物作为蒸发源，将上述蒸发源与衬底置于水平管式炉内，在一定的条件下进行化学反应，得到沉积有锡掺杂碲化锗纳米线的衬底，将上述衬底上的锡掺杂碲化锗纳米线迁移至2英寸SiO2/Si表面各个小金属框的中心处，烘干；再分别采用紫外光刻、磁控溅射技术和剥离技术得到所述相变存储器单元，即锡掺杂碲化锗纳米线两端电极器件，上述相变存储器单元通过对相变材料掺杂锡粉末进行改性，从而提高了相变材料的电阻率，降低了相变材料的熔点，从而有效降低相变材料的操作功耗。另外，本发明还提供了一种相变材料及相变存储器单元。