公开/公告号CN101582485B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-02-16
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN200910053119.4
申请日2009-06-15
分类号H01L45/00(20060101);G11C11/56(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所;
代理人余明伟
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 09:06:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-02-16
授权
授权
2010-01-13
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-11-18
公开
公开
机译: 采用GeBiTe层作为相变材料层的相变存储单元,包括该相变存储单元的相变存储器件,包括该相变存储器件的电子系统及其制造方法
机译: 采用GeBiTe层作为相变材料层的相变存储单元,包括该相变存储单元的相变存储器件,包括该相变存储器件的电子器件及其制造方法
机译: 形成相变材料层的方法以及使用该相变材料层制造相变存储器单元和相变存储器装置的方法