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IEEE International Memory Workshop
IEEE International Memory Workshop
召开年:
2015
召开地:
Monterey, CA(US)
出版时间:
-
会议文集:
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1.
1T1MTJ STT-MRAM Cell Array Design with an Adaptive Reference Voltage Generator for Improving Device Variation Tolerance
机译:
具有自适应参考电压发生器的1T1MTJ STT-MRAM单元阵列设计,可提高器件的变化容差
作者:
Koike Hiroki
;
Miura Sadahiko
;
Honjo Hiroaki
;
Watanabe Tosinari
;
Sato Hideo
;
Sato Soshi
;
Nasuno Takashi
;
Noguchi Yasuo
;
Yasuhira Mitsuo
;
Tanigawa Takaho
;
Muraguchi Masakazu
;
Niwa Masaaki
;
Ito Kenchi
;
Ikeda Shoji
;
Ohno Hideo
;
Endoh Tetsuo
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
2.
3X Faster Speed Solid-State Drive with a Write Order Based Garbage Collection Scheme
机译:
具有基于写入顺序的垃圾收集方案的3倍速度更快的固态驱动器
作者:
Matsui Chihiro
;
Arakawa Asuka
;
Sun Chao
;
Iwasaki Tomoko Ogura
;
Takeuchi Ken
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
3.
A 16-Level-Cell Nonvolatile Memory with Crystalline In-Ga-Zn Oxide FET
机译:
具有晶体内Ga-Zn氧化物FET的16级单元非易失性存储器
作者:
Matsuzaki Takanori
;
Onuki Tatsuya
;
Nagatsuka Shuhei
;
Inoue Hiroki
;
Ishizu Takahiko
;
Ieda Yoshinori
;
Yamade Naoto
;
Miyairi Hidekazu
;
Sakakura Masayuki
;
Shionoiri Yutaka
;
Kato Kiyoshi
;
Okuda Takashi
;
Koyama Jun
;
Yamamoto Yoshitaka
;
Yamazaki Shunpei
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
4.
A 55 nm Logic-Process-Compatible, Split-Gate Flash Memory Array Fully Demonstrated at Automotive Temperature with High Access Speed and Reliability
机译:
一个55 nm逻辑处理兼容的分栅闪存阵列,在汽车温度下得到充分展示,具有高访问速度和可靠性
作者:
Do Nhan
;
Tee Latt
;
Hariharan Santosh
;
Lemke Steven
;
Tadayoni Mandana
;
Will Yang
;
Mt Wu
;
Jinho Kim
;
Yueh-Hsin Chen
;
Chien-Sheng Su
;
Tiwari Vipin
;
Zhou Stephen
;
Qian Rodger
;
Yue Ian
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
5.
A Bulk Planar SiGe Quantum-Well Based ZRAM with Low Vt Variability
机译:
具有低Vt变异性的基于块状SiGe量子阱的ZRAM
作者:
Dutta Sangya
;
Mittal Sushant
;
Lodha Saurabh
;
Schulze Jorg
;
Ganguly Udayan
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
6.
A Highly Reliable and Cost Effective 16nm Planar NAND Cell Technology
机译:
高度可靠且具有成本效益的16nm平面NAND单元技术
作者:
Kueber William
;
Puzzilli Giuseppina
;
Righetti Niccolo
;
Basco Ricardo
;
Lin Li
;
Beltrami Silvia
;
Bertuccio Massimo
;
Camozzi Elisa
;
Daycock David
;
King Matthew
;
Larsen Chris
;
Karpan Jeff
;
Goda Akira
;
Roberts Ceredig
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
7.
A Novel Approach to Identify the Carrier Transport Path and Its Correlation to the Current Variation in RRAM
机译:
一种识别载流子传输路径的新方法及其与RRAM中电流变化的相关性
作者:
Nianduan Lu
;
Ling Li
;
Pengxiao Sun
;
Ming Wang
;
Qi Liu
;
Hangbing Lv
;
Shibing Long
;
Ming Liu
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
8.
A Procedure to Reduce Cell Variation in Phase Change Memory for Improving Multi-Level-Cell Performances
机译:
减少相变存储器中单元变化以提高多级单元性能的过程
作者:
Khwa W.S.
;
Wu J.Y.
;
Su T.H.
;
Lee M.H.
;
Li H.P.
;
Chen Y.Y.
;
BrightSky M.
;
Wang T.Y.
;
Hsu T.H.
;
Du P.Y.
;
Chien W.C.
;
Kim S.
;
Cheng H.Y.
;
Lai E.K.
;
Zhu Y.
;
Chang M.F.
;
Lung H.L.
;
Lam C.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
9.
A Reliable Cross-Point MLC ReRAM with Sneak Current Compensation
机译:
具有可靠电流补偿的可靠跨点MLC ReRAM
作者:
Jong-Min Baek
;
Sang-Yun Kim
;
Jae-Koo Park
;
Jae-Young Park
;
Kee-Won Kwon
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
10.
A Study of Blocking and Tunnel Oxide Engineering on Double-Trapping (DT) BE-SONOS Performance
机译:
双阱(BE)-SONOS性能的阻塞和隧道氧化物工程研究
作者:
Lo Roger
;
Pei-Ying Du
;
Tzu-Hsuan Hsu
;
Chen-Jun Wu
;
Jung-Yi Guo
;
Chun-Min Cheng
;
Hang-Ting Lue
;
Yen-Hao Shih
;
Tuo-Hung Hou
;
Kuang-Yeu Hsieh
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
11.
A Survey of Trends in Non-Volatile Memory Technologies: 2000-2014
机译:
2000-2014年非易失性内存技术趋势调查
作者:
Suzuki Kosuke
;
Swanson Steven
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
12.
A Triple-Protection Structured COB FRAM with 1.2-V Operation and 1017-Cycle Endurance
机译:
具有1.2V工作电压和1017次循环耐久性的三重保护结构COB FRAM
作者:
Saito Hitoshi
;
Sugimachi Tatsuya
;
Nakamura Ko
;
Ozawa Soichiro
;
Sashida Naoya
;
Mihara Satoru
;
Hikosaka Yukinobu
;
Wensheng Wang
;
Hori Tomoyuki
;
Takai Kazuaki
;
Nakazawa Mitsuharu
;
Kosugi Noboru
;
Okuda Masaki
;
Hamada Makoto
;
Kawashima Shoichiro
;
Eshita Takashi
;
Matsumiya M.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
13.
An Analytical Model of eMMC Key Performance Indicators
机译:
eMMC关键绩效指标分析模型
作者:
Amato Paolo
;
Caraccio Danilo
;
Confalonieri Emanuele
;
Sforzin Marco
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
14.
Application Driven SCM and NAND Flash Hybrid SSD Design for Data-Centric Computing System
机译:
应用驱动的以数据为中心的计算系统的SCM和NAND闪存混合SSD设计
作者:
Okamoto Shun
;
Chao Sun
;
Hachiya Shogo
;
Yamada Tomoaki
;
Saito Yusuke
;
Iwasaki Tomoko Ogura
;
Takeuchi Ken
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
15.
Bilayer Metal-Oxide CBRAM Technology for Improved Window Margin and Reliability
机译:
双层金属氧化物CBRAM技术可改善窗边距和可靠性
作者:
Barci Marinela
;
Molas Gabriel
;
Toffoli Alain
;
Bernard Mathieu
;
Roule Anne
;
Cagli Carlo
;
Cluzel Jacques
;
Vianello Elisa
;
De Salvo Barbara
;
Perniola Luca
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
16.
Characterization and Modeling of Advanced Placement Algorithms for NAND Flash Arrays
机译:
NAND闪存阵列高级布局算法的表征和建模
作者:
Miccoli Carmine
;
Sarpatwari Karthik
;
Di Cicco Domenico
;
Cichocki Mattia
;
Moschiano Violante
;
Ruby Paul
;
Parat Krishna
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
17.
Comprehensive Methodology for ReRAM and Selector Design Guideline of Cross-point Array
机译:
ReRAM的综合方法论和交叉点阵列的选择器设计指南
作者:
Sangheon Lee
;
Sooeun Lee
;
Kibong Moon
;
Jaehyuk Park
;
Byungsub Kim
;
Hyunsang Hwang
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
18.
Critical ReRAM Stack Parameters Controlling Complimentary versus Bipolar Resistive Switching
机译:
关键的ReRAM堆栈参数控制互补和双极电阻切换
作者:
Schonhals Alexander
;
Wouters Dirk
;
Marchewka Astrid
;
Breuer Thomas
;
Skaja Katharina
;
Rana Vikas
;
Menzel Stephan
;
Waser Rainer
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
19.
Dynamic Reference Sensing Scheme for Deeply Scaled STT-MRAM
机译:
深度扩展STT-MRAM的动态参考传感方案
作者:
Wang Kang
;
Tingting Pang
;
Youguang Zhang
;
Ravelosona Dafine
;
Weisheng Zhao
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
20.
Efficiently Realizing Weak Cell Aware DRAM Error Tolerance for Sub-20nm Technology Nodes
机译:
有效地实现20纳米以下技术节点的弱单元感知DRAM错误容错
作者:
Hao Wang
;
Kai Zhao
;
Tong Zhang
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
21.
Embedded Microcontroller Memories: Application Memory Usage
机译:
嵌入式微控制器内存:应用程序内存使用情况
作者:
Jew Thomas
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
22.
Fast and Stable Sub-10uA Pulse Operation in W/SiO2/Ta/Cu 90nm 1T1R CBRAM Devices
机译:
W / SiO2 / Ta / Cu 90nm 1T1R CBRAM器件中的快速稳定的10uA以下脉冲操作
作者:
Belmonte Attilio
;
Fantini Andrea
;
Degraeve Robin
;
Celano Umberto
;
Vandervorst Wilfried
;
Redolfi Augusto
;
Houssa Michel
;
Jurczak Malgorzata
;
Goux Ludovic
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
23.
From Memory in our Brain to Emerging Resistive Memories in Neuromorphic Systems
机译:
从我们大脑的记忆到神经形态系统中的新兴抗性记忆
作者:
DeSalvo B.
;
Vianello E.
;
Garbin D.
;
Bichler O.
;
Perniola L.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
24.
From Resistive Switching Mechanisms in AM4Q8 Mott Insulators to Mott Memories
机译:
从AM4Q8 Mott绝缘子的电阻开关机制到Mott存储器
作者:
Tranchant Julien
;
Janod Etienne
;
Corraze Benoit
;
Besland Marie-Paule
;
Cario Laurent
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
25.
Functionality Demonstration of a High-Density 1.1V Self-Aligned Split-Gate NVM Cell Embedded into LP 40 nm CMOS for Automotive and Smart Card Applications
机译:
嵌入用于汽车和智能卡应用的LP 40 nm CMOS中的高密度1.1V自对准分栅NVM单元的功能演示
作者:
Luo L.Q.
;
Chow Y.T.
;
Cai X.S.
;
Zhang F.
;
Teo Z.Q.
;
Wang D.X.
;
Lim K.Y.
;
Zhou B.B.
;
Liu J.Q.
;
Yeo A.
;
Chang T.L.
;
Kong Y.J.
;
Yap C.W.
;
Lup S.
;
Long R.
;
Tan J.B.
;
Shum D.
;
Do N.
;
Kim J.H.
;
Ghazavi P.
;
Tiwari V.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
26.
Improved Lateral Coupling Cell for a Standard Logic Process eNVM Application
机译:
改进的横向耦合单元,用于标准逻辑过程eNVM应用
作者:
Kwang-Il Choi
;
Nam-Yun Kim
;
Sung-Kun Park
;
In-Wook Cho
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
27.
In-Line-Test of Variability and Bit-Error-Rate of HfOx-Based Resistive Memory
机译:
基于HfOx的电阻存储器的变异性和误码率在线测试
作者:
Ji B.L.
;
Li H.
;
Ye Q.
;
Gausepohl S.
;
Deora S.
;
Veksler D.
;
Vivekanand S.
;
Chong H.
;
Stamper H.
;
Burroughs T.
;
Johnson C.
;
Smalley M.
;
Bennett S.
;
Kaushik V.
;
Piccirillo J.
;
Rodgers M.
;
Passaro M.
;
Liehr M.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
28.
Integration and Electrical Evaluation of Epitaxially Grown Si and SiGe Channels for Vertical NAND Memory Applications
机译:
用于垂直NAND存储器应用的外延生长的Si和SiGe通道的集成和电学评估
作者:
Capogreco Elena
;
Degraeve Robin
;
Lisoni Judit Gloria
;
Luong Vu
;
Arreghini Antonio
;
Toledano-Luque Maria
;
Hikavyy Andriy
;
Numata Toshinori
;
De Meyer Kristin
;
Van den bosch Geert
;
Van Houdt Jan
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
29.
Junction Optimization for Embedded 40nm FN/FN Flash Memory
机译:
嵌入式40nm FN / FN闪存的结优化
作者:
Baiano Alessandro
;
van Duuren Michiel
;
van der Vegt Erik
;
Schippers Bob
;
Beurze Robert
;
Tajari Mofrad Daniel
;
van Zwol Hans
;
Yu Chen
;
Chiang Jed
;
Lokker Han
;
van Dijk Kitty
;
Verbree Jouke
;
Yi Ning Chen
;
Garbe Jochen
;
Verhaar Rob
;
Dormans Do
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
30.
LDPC Soft Decoding with Reduced Power and Latency in 1X-2X NAND Flash-Based Solid State Drives
机译:
在基于1X-2X NAND闪存的固态驱动器中降低功耗和延迟的LDPC软解码
作者:
Zuolo Lorenzo
;
Zambelli Cristian
;
Olivo Piero
;
Micheloni Rino
;
Marelli Alessia
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
31.
Machine Learning Prediction for 13X Endurance Enhancement in ReRAM SSD System
机译:
机器学习预测,可将ReRAM SSD系统的耐久性提高13倍
作者:
Iwasaki Tomoko Ogura
;
Sheyang Ning
;
Yamazawa Hiroki
;
Chao Sun
;
Tanakamaru Shuhei
;
Takeuchi Ken
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
32.
Memory Technologies for Neural Networks
机译:
神经网络存储技术
作者:
Merrikh-Bayat F.
;
Prezioso M.
;
Guo X.
;
Hoskins B.
;
Strukov D.B.
;
Likharev K.K.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
33.
Modeling of Atomic Migration Phenomena in Phase Change Memory Devices
机译:
相变存储设备中的原子迁移现象建模
作者:
Crespi Luca
;
Lacaita Andrea
;
Boniardi Mattia
;
Varesi Enrico
;
Ghetti Andrea
;
Redaelli Andrea
;
DArrigo Giuseppe
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
34.
Novel Multi-Bit Non-Volatile SRAM Cells for Runtime Reconfigurable Computing
机译:
用于运行时可重构计算的新型多位非易失性SRAM单元
作者:
Yanjun Ma
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
35.
Optimization of Ru Based Hybrid Floating Gate for Planar NAND Flash
机译:
平面NAND闪存基于Ru的混合浮栅的优化
作者:
Breuil Laurent
;
Lisoni Judit
;
Blomme Pieter
;
Van den bosch Geert
;
Van Houdt Jan
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
36.
Optimization of the ATW Non-Volatile Memory for Connected Smart Objects
机译:
连接的智能对象的ATW非易失性存储器的优化
作者:
Bartoli Jonathan
;
Della Marca Vincenzo
;
Postel-Pellerin Jeremy
;
Delalleau Julien
;
Regnier Arnaud
;
Niel Stephan
;
La Rosa Francesco
;
Canet Pierre
;
Lalande Frederic
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
37.
Optimization of TiN/TaOx/HfO2/TiN RRAM Arrays for Improved Switching and Data Retention
机译:
优化TiN / TaOx / HfO2 / TiN RRAM阵列以改善开关和数据保留
作者:
Xueyao Huang
;
Huaqiang Wu
;
Sekar Deepak C.
;
Nguyen Steve N.
;
Kun Wang
;
He Qian
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
38.
Study on the Sub-Threshold Margin Characteristics of the Extremely Scaled 3-D DRAM Cell Transistors
机译:
超大规模3-D DRAM单元晶体管的亚阈值裕度特性研究
作者:
Kyung Kyu Min
;
Il-Woong Kwon
;
Seehe Cho
;
Mikyung Kwon
;
Tae-Su Jang
;
Tae-Kyung Oh
;
Yong-Taik Kim
;
Seon-Yong Cha
;
Sung-Kye Park
;
Sung-Joo Hong
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
39.
Performance Characterization of LDPC Codes for Large-Volume NAND Flash Data
机译:
大容量NAND闪存数据的LDPC码的性能表征
作者:
Khayat Patrick
;
Kaynak Mustafa
;
Parthasarathy Sivagnanam
;
Sharifi Tehrani Saeed
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2015年
40.
Performance Prediction of Large-Scale 1S1R Resistive Memory Array Using Machine Learning
机译:
基于机器学习的大规模1S1R电阻式存储器阵列的性能预测
作者:
Zizhen Jiang
;
Peng Huang
;
Liang Zhao
;
Kvatinsky Shahar
;
Shimeng Yu
;
Xiaoyan Liu
;
Jinfeng Kang
;
Nishi Yoshio
;
Wong H.-S Philip
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
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2015年
41.
Relationship among Current Fluctuations during Forming, Cell-To-Cell Variability and Reliability in RRAM Arrays
机译:
RRAM阵列中形成过程中电流波动,单元间变异性和可靠性之间的关系
作者:
Grossi Alessandro
;
Zambelli Cristian
;
Olivo Piero
;
Miranda Enrique
;
Stikanov Valeriy
;
Schroeder Thomas
;
Walczyk Christian
;
Wenger Christian
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
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2015年
42.
Single-Poly Embedded NVM Solution for Analog Trimming and Code Storage Applications
机译:
单模嵌入式NVM解决方案,用于模拟整理和代码存储应用
作者:
Sung-Kun Park
;
Kwang-Il Choi
;
Nam-Yoon Kim
;
Jung-Hoon Kim
;
Young-Jun Kwon
;
Kwang-Sik Ko
;
In-Wook Cho
;
Kyung-Dong Yoo
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
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2015年
43.
TCAD Simulation of Data Retention Characteristics of Charge Trap Device for 3-D NAND Flash Memory
机译:
用于3D NAND闪存电荷陷阱器件的数据保留特性的TCAD仿真
作者:
Dongyean Oh
;
Bonghoon Lee
;
Eunmee Kwon
;
Sangyong Kim
;
Gyuseog Cho
;
Sungkye Park
;
Seokkiu Lee
;
Sungjoo Hong
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
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2015年
44.
Technology Scaling Challenge and Future Prospects of DRAM and NAND Flash Memory
机译:
DRAM和NAND闪存的技术扩展挑战和未来前景
作者:
Sung-Kye Park
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
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2015年
45.
Technology Trends and Near-Future Applications of Embedded STT-MRAM
机译:
嵌入式STT-MRAM的技术趋势和近来的应用
作者:
Fujita Shinobu
;
Noguchi Hiroki
;
Ikegami Kazutaka
;
Takeda Susumu
;
Nomura Kumiko
;
Abe Keiko
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
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2015年
46.
Thin-Silicon Injector (TSI): An All-Silicon Engineered Barrier, Highly Nonlinear Selector for High Density Resistive RAM Applications
机译:
薄硅注入器(TSI):全硅设计的屏障,高度非线性选择器,用于高密度电阻RAM应用
作者:
Govoreanu Bogdan
;
Zhang Leqi
;
Crotti Davide
;
Yang-Shun Fan
;
Paraschiv Vasile
;
Hody Hubert
;
Witters Thomas
;
Meersschaut Johan
;
Clima Sergiu
;
Adelmann Christoph
;
Jurczak Malgorzata
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
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2015年
47.
Understanding NAND???s Intrinsic Characteristics Critical Role in Solid State Drive (SSD) Design
机译:
了解NAND的固有特性在固态硬盘(SSD)设计中的关键作用
作者:
Akin Will
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
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2015年
48.
Universal Thermoelectric Characteristic in Phase Change Memories
机译:
相变存储器中的通用热电特性
作者:
Ciocchini Nicola
;
Laudato Mario
;
Leone Antonio
;
Fantini Paolo
;
Lacaita Andrea Leonardo
;
Ielmini Daniele
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
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2015年
49.
Visualization of Conductive Filament during Write and Erase Cycles on Nanometer-Scale ReRAM Achieved by In-Situ TEM
机译:
原位TEM在纳米级ReRAM上的写入和擦除周期中导电丝的可视化
作者:
Kudo Masaki
;
Arita Masashi
;
Takahashi Yasuo
;
Ohba Kazuhiro
;
Shimuta Masayuki
;
Fujiwara Ichiro
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
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2015年
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