Pulsed laser annealing of ion implanted gallium arsenide

机译：离子注入砷化镓的脉冲激光退火

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Call number: LD2668 .T4 EECE 1987 H67

机译：电话号码：LD2668 .T4 EECE 1987 H67

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Horak Arkady Michael.;
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年度 1987
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1. Synthesis of beta gallium oxide nano-ribbons from gallium arsenide by plasma immersion ion implantation and rapid thermal annealing [J] . Ho HP., Lo KC., Fu KY., Chemical Physics Letters . 2003,第5a6期

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2. The accumulation of radiation defects in gallium arsenide that has been subjected to pulsed and continuous ion implantation [J] . Ardyshev MV, Ardyshev VM, Kryuchkov YY Semiconductors . 2005,第3期

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