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公开/公告号CN210577008U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-05-19
原文格式PDF
申请/专利权人 南京信息工程大学;
申请/专利号CN201922103814.9
发明设计人 常建华;陈思成;张树益;陈恬恬;戴腾飞;刘海洋;戴瑞;
申请日2019-11-29
分类号
代理机构南京汇盛专利商标事务所(普通合伙);
代理人张立荣
地址 210044 江苏省南京市江北新区宁六路219号
入库时间 2022-08-22 14:05:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-19
授权
机译: 一种在低温下浮法生产亚烷基镓和砷化合物的砷化镓镓的方法。
机译: 具有基于时间和空间均匀电流的双极光源,例如基于砷化铝镓-砷化镓结构,包括发光和不发光柱
机译: 一种使用砷化镓或亚磷酸镓三陈源从气相中去除砷化镓或磷化镓的方法
机译:的InAs /砷化镓异质结构的结构和发光性能的研究掺铋的势垒
机译:镓解决方案中生长的掺硅砷化镓砷:硅的现场分布
机译:热处理对电气特性的影响及基于Chroma的砷化镓基于砷化镓电荷收集的有效性
机译:掺硅砷化镓砷中电子活化能的硅杂质浓度依赖性
机译:砷化镓氮和砷化镓铋:两种共振态半导体合金的结构和电子性质。
机译:掺Si的双面非合金欧姆接触等离子体电子器件的砷化镓
机译:基于砷化镓的稀铋半导体激光器:理论与实验
机译:退火对重掺硅砷化镓缺陷结构影响的电子显微镜研究。