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水平掺硅砷化镓单晶生长过程中位错的控制

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摘要

讨论了如何在水平砷化镓单晶生长过程中进行位错控制,通过控制熔区的长短,使单晶的生长过程更趋稳定,和控制生长界面的形状以及界面处的温度梯度,减少了位错的产生和增殖.采取以上措施可以在一定程度上降低位错.

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来源
《功能材料》|2004年第z1期|3079-3080|共2页
作者
于洪国; 武壮文; 王继荣; 张海涛;
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作者单位

北京有色金属研究总院,国瑞电子材料有限责任公司,北京,100088;

北京有色金属研究总院,国瑞电子材料有限责任公司,北京,100088;

北京有色金属研究总院,国瑞电子材料有限责任公司,北京,100088;

北京有色金属研究总院,国瑞电子材料有限责任公司,北京,100088;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体生长工艺;
关键词
水平砷化镓; 位错密度; 熔区; 温度梯度;

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