Dislocations; Gallium arsenides; Field effect transistors; Crystals; Metrology; Indium; Etching; State of the art; Wafers; Gradients; Thermal properties; Elastic properties; Stresses;
机译:在砷化铟镓/磷化铟和砷化镓衬底上生长的自组装砷化铟纳米结构形成的有力研究
机译:砷化铟,砷化镓和铝砷化镓的毒性。
机译:通过Czochralski方法获得的砷化镓单晶脱位结构形成的具体特征
机译:使用界面失配位错阵列在砷化镓和硅衬底上的高迁移率n和p通道
机译:硅MOSFET,砷化镓MESFET和砷化铝镓/砷化镓MODFET数字电路和系统的缩放比例和性能限制。
机译:分子动力学模拟纳米砷化镓纳米切割的地下变形机制
机译:砷化镓铟/铝铟砷化物和砷化镓铝铟砷/铝铟砷化物MQW器件在1.3μm的室温载流子寿命和光学非线性