机译:使用硬掩模通过硅通孔(TSV)刻蚀更精细(<10μm)
机译:APS -APS 3月会议2017年 - 事件 - 使用块共聚物创建用于蚀刻硅和二氧化硅的金属氧化物硬掩模
机译:使用SiO2硬掩模和基于氟的干法刻蚀可降低侧壁粗糙度的低损耗硅波导
机译:具有3D封装的高密度互连的硅中介层的晶片级湿法高纵横比的硅通孔(TSV)具有高均匀性和低成本
机译:硅通孔(TSV)的高质量镀铜的电解质和添加剂的分析特性
机译:通过摩擦诱导的Si3N4掩模选择性刻蚀在单晶硅上进行纳米加工
机译:3D硅直通孔(TSV)对通孔挤出的处理效果互连:两种TSV结构的比较研究