使用交替硬掩模和密闭性蚀刻停止衬垫方案使紧密间距导电层与引导通孔接触的方法和结构

摘要

描述了用于半导体器件的具有交替的电介质盖和蚀刻停止衬垫的互连结构以及用于制造这种装置的方法。根据实施例，互连结构可以包括层间电介质(ILD)，所述层间电介质具有在ILD的顶表面之上的第一硬掩模层。所述互连结构还可以包括ILD中的一个或多个第一互连线。第一电介质盖可以定位于每个所述第一互连线的顶表面上方。额外的实施例包括ILD中的与所述第一互连线布置成交替图案的一个或多个第二互连线。第二电介质盖可以形成于每个所述第二互连线的顶表面上方。实施例还可以包括形成在第一电介质盖的顶表面之上的蚀刻停止衬垫。